半导体存储器占据着半导体行业市场的半壁江山,其中DRAM和NANDFlash市场规模占比超过95%。DDR4高速存储器单颗颗粒容量提高到到16Gb,数据传输速率提高到3200Mbps,更大的容量和更高的数据传输速率对芯片测试提出了巨大挑战,加速了对DDR4高速存储器测试方法的研究。本课题研究的是DDR4高速存储器测试方法,可实现最高数率3200Mbps下的功能测试、直流参数和交流参数测试,详细设计了功能测试、电流测试、SpeedGrade测试程序,在课题研究中制定了总体方案,包括软硬件的设计和测试方法的研究,主要研究内容包括:(1)总体方案设计。根据DDR4测试需求,提出DDR4测试要求,通过三种存储器测试系统的对比,最终选择了基于ATE的存储器测试系统,制定测试方案,主要包括测试系统指标分析、DIB板设计要求、DDR4存储器电路测试顺序、测试系统程序设计流程、基本测试方法和存储器测试编程环境,最后完成了总体方案设计,为接下来的测试奠定了基础。(2)硬件设计与测试方法研究。根据高速制板要求和测试系统设计DIB板,通过对存储器主要故障模型的分析,研究可以检测相应故障模型的测试算法,主要包括N型测试算法、N~2型测试算法和N~(3/2)型测试算法三种算法,比较测试算法在测试时间、复杂程度、故障覆盖率等方面的优劣,归纳总结出N型测试算法可以检测提出的故障。(3)测试程序开发。用ATE模拟DDR4控制器,详细设计了功能测试中测试算法所需要的测试图形、电流测试中的测试图形、SpeedGrade测试程序,开发测试流程,验证芯片测试结果。本文基于ATE设计了一套DDR4高速存储器的测试方案,选择AdvantestV93000STH集成电路测试系统,采用DDR4SDRAM芯片MT40A1G8进行测试,验证了在数据速率3200Mbps下的功能测试和指标精度,得到了测试结果,建立了DDR4存储器测试技术平台。