铝合金微弧氧化处理后其耐蚀性、耐磨性和抗热冲击性等性能显著提高。但由于陶瓷层表面分布着大量微米级的微孔,使得硬度值在较大的区间内波动,所以不宜采用硬度来表征陶瓷层的性能。另一方面,陶瓷层的致密性直接影响到其耐磨、耐腐蚀等性能。在此情况下,有必要寻求一种无损检测方法对陶瓷层的致密性进行表征,有利于促进微弧氧化技术的产业化应用与推广。本课题研究了微弧氧化工艺参数(电流密度、频率、占空比和时间)对铝合金陶瓷层的生长速度、致密性、击穿电压和击穿场强的影响规律,探讨了陶瓷层增重率与击穿场强之间的关系,实现了击穿场强对陶瓷层致密性表征。结果表明:在其它条件不变的情况下,随着电流密度的增大,铝合金微弧氧化陶瓷层的厚度增加,大电流密度有利于陶瓷层快速生长,陶瓷层的增重率和击穿场强均随电流密度的增加而逐渐下降;随着频率的升高,陶瓷层的厚度先减小而后趋于稳定,高频不利于陶瓷层的快速生长,陶瓷层的增重率与击穿场强随着频率的升高先逐渐增加而后趋于平稳;随着占空比的逐渐增大,陶瓷层的厚度显著增加,高占空比有利于陶瓷层的快速生长,陶瓷层的增重率与击穿场强均随占空比的逐渐增大而下降;随着微弧氧化时间的延长,陶瓷层厚度增加,陶瓷层的平均生长速率下降,陶瓷层的增重率和击穿场强均随着微弧氧化时间的延长而快速下降;微弧氧化陶瓷层的击穿场强与其增重率的变化规律是一致的,即陶瓷层的增重率越大,击穿场强越高,致密性越好;可以用击穿场强来陶瓷层的表征致密性。