《语料库语言学与R语言统计学》(第九章)英汉翻译实践报告

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热电子跃迁,即动能远远大于平均热动能的电子越过某一较大的势垒,是决定半导体材料和器件的光电性质的一种重要机制。研究热电子相关的现象是揭示材料中缺陷态物理性质和器件物理的有效途径之一。本论文研究了宽禁带氮化物半导体中与热电子跃迁相关的两种热致发光增强现象,主要如下:(1)研究了氮化铝AlN中的热致发光现象。通过分析热致发光光谱随温度的变化,揭示了 AlN中的电子陷阱态的来源。AlN是直接带隙半导体,
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