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在诸多将太阳能转化为化学物质的光催化材料中,氧化锌(ZnO)是具有宽带隙(~3.2 eV)和合适的氧化还原电位的最重要半导体之一。但其带隙较宽,易发生光腐蚀稳定性差,限制了其在光催化领域的进一步应用。计算表明超薄仅的9层ZnO与1层ZnS相结合可使带隙大大减小。但是,目前超薄ZnO与ZnS纳米片的可控制备,及其在光催化产氢上的应用尚未实现。(1)我们成功通过氧化CVD法生长得到的超薄Zn/ZnS模板纳米片,制备了多孔ZnS单层包覆的氧化锌纳米片。同时制备了厚度及形貌基本一致的ZnO和ZnS纳米片作为