功率半导体器件是当下建设绿色节能型社会的一项关键技术。从电能的产生、输运到应用,功率半导体器件都发挥着至关重要的作用,而且单个器件的特性往往直接决定着整个电力系统的效能。所以近年来功率半导体器件得到了广泛的关注和研究。首先,本文介绍了一种电流源控制的双极型功率器件,该结构由电子科技大学陈星弼院士于2010年首先提出,并已申请发明专利。这种器件基于晶闸管的四层三结结构,利用电流正反馈效应,器件导通时压降很小；通过两个外加电流源控制器件内部的电子电流和空穴电流,使得电流在达到一定值时随外加偏压的增加逐渐饱和,而不是无限增大,这一点和普通的晶闸管是不同的。从而该结构很好的限制了丝状大电流,解决了大功率器件中存在的电流集中效应。文中讨论了器件原理,结构设计以及一些具体的实现方法。此外,本文对Super-Junction IGBT这种新型器件结构的工作原理进行了详细分析和研究。通过Medici仿真验证,SJ-IGBT的击穿特性和正向导通压降都明显优于普通IGBT。并且发现,不同耐压区掺杂浓度下器件的工作机理会在单极输运和双极输运之间相互改变,而这一工作机理是SJ-IGBT所独有的。也正是这种特殊的工作机理使得SJ-IGBT的Eoff-Von关系得到了较大的改善。此外,结合Super-Junction技术的基本理论详细分析了耐压区掺杂浓度失衡对SJ-IGBT耐压能力的影响,给出了N型和P型耐压区掺杂浓度的合理取值范围。