ZnO是一种具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙（3.37eV）半导体材料,室温下激子束缚能高达60meV,所以在短波长光电器件方面拥有巨大的潜在应用价值。因此,世界各国都在进行这方面的研究。生长ZnO薄膜材料的方法很多,包括分子束外延（MBE）、金属有机化学气相沉积（MOCVD）、脉冲激光沉积（PLD）、原子层外延、磁控溅射和蒸发等其中MBE、MOCVD和PLD等方法生长的ZnO薄膜质量较高。在这三者当中,MOCCD是最适合工业化生产需要的一种方法。本论文利用我们自己设计的新型MOCVD系统在硅和蓝宝石衬底上生长出了高质量的ZnO薄膜,并对其掺杂特性作了详细的研究,获得了一定的结果。在国内外首次使用N₂O为氧化剂O₂提供富氧环境,通过MOCVD系统在硅衬底上生长出高质量的ZnO薄膜。X射线光电子谱（XPS）、Hall测量、X射线衍射（XRD）和光致发光（PL）谱测量结果表明:在400℃下生长的ZnO薄膜,具有高的化学配比和很好的光学性质,但其结构和电阻率没有在高温下（500℃）好。通过在不同N₂O流量的掺杂试验,得到不同的结构、光学和电学特性的ZnO薄膜,在N₂O流量为70sccm得到最好的结构和光学特性,并且电阻率和载流子浓度分别为1.24×10⁵Ω·cm和1.53×10¹³cm^-3。对ZnO薄膜掺氮的研究结果表明,通过射频等离子体离化,能有效的将氮掺入ZnO薄膜当中。对掺氮的高阻ZnO薄膜的特性研究表明,氮掺杂基本上没有改变ZnO薄膜的结构特性和发光特性。利用喷涂热解方法在半绝缘的砷化镓沉底上制备出了发光二极管（LED）。