新型有机硅低介电材料的研究

来源 :华东理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zx19910412
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电子封装不仅可以保护器件核心,也可以避免不必要的能耗,更有效地提供电路连通、信号传输。而随着集成电路向智能化、微型化的发展,由层间寄生电容引起的信号串扰、延迟和能耗增大问题则愈发凸显,需要开发性能优异的低介电材料来解决问题。本论文从分子设计出发,制备了一系列新型树脂,并对固化后树脂的热力学性质、介电性能等进行了系统研究,主要研究内容如下:  1.通过Karstedt催化的硅氢化加成反应设计合成了部分苯并环丁烯(BCB)官能化的笼型倍半硅氧烷单体1/4TB,固化后的树脂具有相当低的介电常数(κ=2.2)。  2.采用两步合成法制备出一系列梯形倍半硅氧烷及相应膜材,包括PPSQ、Ph-BCBSSQ以及BCBSSQ,并对其分子结构进行表征;通过各种实验手段系统考察所制备材料的热力学性质、成膜性以及介电性能。研究结果表明,BCB基团的引入不仅明显提高了聚合物热稳定性,而且有效降低了介电常数。  3.设计合成了具有联苯结构的双硅环氧树脂单体BP-SiH-EP,并参照文献合成单苯基环氧树脂DEDSB。通过各种表针手段考察固化后树脂的热力学性能、机械性能与介电性能,比较二者结构与性能上的差异,并进一步讨论了交联密度计算公式的适用性。
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