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本文的主要内容就是采用磁控溅射方法在室温条件下制备大面积（30cm×30cm）ZnO窗口层薄膜，改变实验条件研究工艺参数对薄膜特性的影响，优化窗口层薄膜的制备工艺，以期改善CIGS太阳电池组件的性能。高阻ZnO窗口层采用射频磁控溅射方法沉积，固定氧气/氩气比例（5：1）并改变工作气压研究工作气压对高阻ZnO薄膜特性的影响；固定氩气流量（30sccm）改变氧气流量，研究氧分压对薄膜特性的影响。采用直流磁控溅射方法沉积Al掺杂ZnO薄膜做为低阻ZnO窗口层。分别改变工作气压和直流功率，通过XRD、SEM、Hall效应以及透射光谱等一系列测试方法，研究功率、工作气压对ZnO：Al薄膜特性的影响。设计一种分析方法衡量大面积透明导电薄膜均匀性（主要从电学和光学特性方面），而后优化工艺条件改善ZnO：Al薄膜的均匀性。综合多项测试,Ar/O2是影响高阻ZnO薄膜特性的关键工艺条件。根据CIGS薄膜太阳电池对高阻ZnO窗口层特性的要求，选用工作压强较大、氧含量较高的工艺条件，此时薄膜表面平滑，颗粒细小且均匀致密，电阻率达103Ω·cm，平均透过率超过90%。在室温条件下，随工作气压的减小ZnO：Al薄膜中载流子浓度明显提高，且载流子的霍尔迁移率有缓慢增大的趋势。根据多组试验和分析，确定4mm/s为最佳衬底走速。在直流功率1200W、工作气压0.07Pa条件下制备的ZnO：Al薄膜最能满足CIGS薄膜太阳电池对低阻ZnO窗口层薄膜的要求。该条件下沉积600nm左右的ZnO：Al薄膜在400nm～1200nm波长范围内平均透过率大于85%，电阻率ρ在1.0×10-3Ω·cm左右，并且在30cm×30cm面积内薄膜的均匀性较好。大面积内厚度均匀、光电特性优化的高、低阻ZnO窗口层利于太阳光谱的透过和光生电流的收集，能减小组件内部子电池间的差异，促进了电池组件内部互联的稳定。