低压化学气相沉积模型与模拟

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MEMS(Micro Electric-Mechanical System)是具有战略意义的前沿高技术,是未来的主导产业之一。MEMS工艺处在整个MEMS设计的最底层,工艺的好坏直接影响到MEMS器件的性能、设计的成败。使用工艺模拟软件不仅能够节约设计成本,还能缩短设计的时间,已越来越多的受到用户的青睐。在MEMS工艺领域已经存在一些模拟软件,但这些软件在与具体生产线结合时还存在较多的问题。尤其在国内,这一领域还处于空白,因此开发一套能与工艺线相匹配的模拟软件显得越来越迫切。工艺分为很多步骤,沉积是其中重要得一环,沉积包括物理沉积和化学沉积。化学沉积又可分为常压化学沉积(APCVD)、等离子体化学沉积(PECVD)和低压化学气相沉积(LPCVD)。由于LPCVD在优化台阶覆盖上具有优势,因此被广泛的研究和使用。LPCVD过程比较复杂,对其内部反应机理还存在很多不同的见解,虽然现存的LPCVD模型较多,但在研究具体台阶形貌时都具有一定的局限,因此必须首先选择一个与实验较为接近的模型,然后再将模型转化为模拟软件。论文首先简单的介绍了MEMS和MEMS CAD。接着介绍了MEMS沉积工艺中常见的各种方法,着重介绍了LPCVD的模型和常用的模拟算法。通过对参考文献实验数据的计算,验证了一维沉积模型的正确性,然后分析气体反应机理,在一维模型的基础上提出了一个二维模型。这个模型将沉积分解为源气体沉积和中间气体沉积两种反应的结合,将台阶覆盖的变化归结为源气体的分解比例A。最后使用C++编程,优化算法,完成了一套能对沉积模型进行较为精确模拟的软件。软件能够很好的模拟由于A值变化带来台阶覆盖的变化,以及在A值一定时,对不同深宽比沟道进行沉积时的轮廓。通过实验可以测定不同工艺条件下的A值,因此使用软件就可以得到任意条件下的模拟结果,将模拟结果与实验结果,两者能较好的吻合。
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