衬底温度对低功率制备ZnO薄膜光学特性的影响

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【摘要】

：

ZnO是一种新型的直接带隙宽带半导体,室温禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV,可以实现室温紫外激光发射。在大气条件下,ZnO具有六方纤锌矿结构。作为新一代的宽带半导体材料,ZnO具有优异的光学、电学及压电特性,在发光二极管、光探测器、电致荧光器件、透明导电薄膜、表面声波器等诸多领域有着广泛的应用。ZnO薄膜的制备方法主要有:磁控溅射法、脉冲激光沉积、分子束外延、金属有机化学气相沉积

【作者】

：

蔡利霞

【机构】

：

西北师范大学

【发表日期】

：

2009年05期

【关键词】

：

ZnO薄膜磁控溅射光学特性衬底温度低功率

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