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光照条件严重影响植物病害的发生,但光照对植物基因对基因抗病性和非寄主抗病性的影响及其机理知之甚少。本研究分析了光照对烟草对炭疽菌的非寄主抗性,以及N/p50介导的基因对基因抗病性的影响及其分子机理,取得以下结果: 1.以除草剂敌草隆为光合作用电子传递系统中光系统Ⅱ的抑制物,研究了光合作用途径对N/p50介导的基因对基因抗病性和烟草对炭疽菌薏苡分离物的非寄主抗病性的影响。结果显示,23.3mg.L-1敌草隆处理加速N/p50烟草苗中过敏性反应（hypersensitive response,HR）的产生。原本为烟草非病原的炭疽菌薏苡分离物成功侵染经23.3 mg.L-1敌草隆处理的原本为非寄主植物的烟草,形成细小炭疽病病斑。但病斑扩大受到明显限制,不产生大量分生孢子。因此,光系统Ⅱ介导的途径减弱N介导的抗性,但增强烟草对炭疽菌薏苡分离物的非寄主抗性。这些结果表明,光系统Ⅱ介导的途径影响多种形式的抗病性,并且对不同形式的抗病性的影响作用不同。 2.分析了光照对N/p50介导的HR的影响及其分子机理。发现,光/暗周期和光照时间显著影响N/p50烟草苗HR症状的表现。N/p50烟草苗表现HR症状所需时间与光/暗周期中光照时间长度呈密切反相关。将N/p50烟草苗从28℃移至22℃下培养,在持续黑暗条件下培养21h,N/p50烟草苗即开始表现HR症状,24h时全苗萎蔫;在4h/20h,8h/16h,和12h/12h光/暗周期条件下N/p50烟草苗开始产生HR的时间分别为23h,26h和32h;产生全株萎蔫时间分别为32h,40h和52h。而在持续光照条件下,培养48h后才开始产生HR,至72h后才出现全株萎蔫。这些结果说明短光照周期和黑暗条件加速并增强了N/p50介导产生的HR。 研究了温度与光照影响N/p50烟草苗过敏性坏死的相互关系。发现,在高温条件下,光照对N/p50烟草苗过敏性坏死的影响减弱。将N/p50烟草苗置于高温（32℃）环境的不同光周期下培养,光周期为4h/20h,8h/16h,和12h/12h和持续光照条件下培养的N/p50烟草苗均不产生HR,只有在持续黑暗条件下才能产生HR,而且与在低温（22℃）条件下相比,产生HR的时间大大延长,培养7d后才产生。说明温度对N/p50介导的HR的作用强于光照。