近年来,纤锌矿氮化物材料由于具有禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和速度高、热导率大、物理化学性能稳定等特殊的物理性质逐渐引起人们的关注。与此同时,电子与声子间的相互作用对半导体及其构成的低维结构的性质起着重要的作用。因此,纤锌矿氮化物半导体材料构成的量子阱结构中极化子的研究具有重要的意义。本文采用Lee-Low-Pines（LLP）变分方法研究了纤锌矿氮化物(GaN/Al_xGa_1-xN)量子阱材料中自由极化子的能级,给出自由极化子基态能量、第一激发态能量和第一激发态到基态的跃迁能量与量子阱宽度和量子阱深度变化的函数关系。研究结果表明,自由极化子基态能量、第一激发态能量和跃迁能量随着阱宽L的增大而开始急剧减小,然后缓慢下降,最后接近于GaN中3维值。基态能量和第一激发态到基态的跃迁能量随着量子阱深度的增加而逐渐增加,窄阱时这一趋势更明显。纤锌矿氮化物量子阱中电子-声子相互作用对能量的贡献比较大,这一值（约40meV）远远大于闪锌矿(GaAs/Al_xGa_1-xAs)量子阱中相应的值（约3meV）。因此讨论氮化物GaN/Al_xGa_1-xN量子阱中电子态问题时应考虑电子-声子相互作用。