III-V族化合物带隙跨度很大，其中InN的带隙为0.7eV，而A1N的带隙却高达6.28eV，以InP和AlN为代表的Ⅲ-Ⅴ族半导体由于具有优良的光电性质，在实验和实际制备上具有很大的潜力。InP为
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石墨烯是目前材料科学和凝聚态物理学中重要的研究领域之一，它具有很多与众不同的性质，如自旋轨道耦合相互作用、异常量子霍尔效应、高电子迁移率以及零带隙半导体特性和亚晶格
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以吉林省长春市2011年和2012年小学高年级学生的国际中小学数学能力检测第一轮为例进行教育测量，尝试提出新的测验等值方法对其进行等值分析。一种是等值设计检验法，利用锚题将