MOSFET是分立器件中最为重要的一类产品,在许多领域起着难以替代的作用。本文将通过研究MOSFET封装不良在最终测试中表现出的特点,来对产品的最终测试流程进行改进,从而提高产品的质量,满足客户对品质越来越高的要求。MOSFET的封装主要由晶圆切割,晶粒黏贴,焊线,封塑,切割成型这五大流程组成。每个流程中都有一些主要的不良类型,会影响到最终测试的通过率和成品的质量。本文的重点就是针对不同的不良类型,研究它们在最终测试中表现出特点。基于研究所得结果,对现行的最终测试流程进行三方面的综合改进。第一,定义设定测试项目上下限的方法,提高测试程序的筛选能力。第二,根据测试结果对应的封装不良类型进行分Bin,使得从分Bin结果就可以比较准确的判断出问题。第三,改进产品的收率管理,补充测试程序筛选能力的不足,保证成品质量。通过本文的研究和改进,可以有效提高MOSFET成品质量并改善良品率。在SSU2N60B产品上运用本文的方法后,良品率比前六个月提高了约1%,质量抽检不良和客户投诉数量也大为减少。