对于ZnO纳米结构来说,带隙较宽,激子束缚能较大,是纳米器件非常重要的组成部分,逐渐成为第三代半导体材料的热点研究材料。在本论文中,先通过物理气相沉积法制备出了纯ZnO纳米线,然后将其制成基于单根ZnO纳米线的双端电子器件,由此来研究其电输运性能,光响应性能,存储性能。以下是主要的研究结果:在电输运性能方面,器件的电输运性能不是很稳定,容易受到外界各种因素的影响。在本章中,可通过控制外加单向/双向偏压,从而精确控制具有两个相同电极的基于单根ZnO纳米线的双端电子器件的电输运性能。对于基于单根纳米线的双端电子器件,其表面态丰富,形成了两个背对背串联电阻的二极管,两端电极附近陷阱的填充和释放可以很好地调节表面势垒的宽度和高度,陷阱的填充和排空状态可由外界偏压控制以此来调控器件的电输运性能。此外,在较低的操作偏压和室温下,陷阱的填充和排空状态可以很好地保持,从而形成可调的非易失性存储特性。在光响应方面,基于单根ZnO纳米线的双端电子器件在紫外光的区域范围内有较强的光响应,通过给器件施加一定的外加偏压可改变器件的势垒高度与厚度,经过调制后,器件的陷阱的势垒厚度和高度均减小,有利于光激电子—空穴对的快速分离,从而提高器件的光检测性能,响应和恢复速度,同时实现自驱动光检测功能。在信息存储方面,目前大多数阻变存储器的写入方式为外加偏压,在本章中制备了一种以温度为写入方式的温度存储器并探究了其巨热阻效应。高温时,陷阱中的电子被激发,从陷阱中逃逸出来,温度升高,陷阱中电子被激发的程度也增加,从而获得不同的阻态,当温度恢复至室温时,给其施加一定的外加偏压,电子又重新从负极注入到陷阱中,器件恢复至初始状态。从而实现一种温度写入,电压擦除的可循环使用的温度存储器。