目的:研究大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤后自噬相关基因Beclin l、PTEN随损伤时间的表达情况,检测自噬体变化,以及人工合成E-选择素对自噬现象的作用。方法:健康雄性SD大鼠,随机分为3组:手术组、假手术组、人工合成E一选择素治疗组。透射电镜观察脑缺血再灌注损伤后神经细胞内自噬体形成和溶酶体激活,免疫组织化学法检测损伤周边区(皮层)自噬溶酶体相关基因蛋白Beclin l、PTEN的表达。在缺血前应用人工合成E-选择素干预后,观察分析其对自噬的影响。结果:透射电镜显示,假手术组神经细胞内自噬体少,脑缺血再灌注损伤后4h可见到损伤神经细胞内自噬体形成,24h最为明显,一直持续到5d。免疫组织化学结果显示,假手术组Beclin 1、PTEN表达较少,脑缺血再灌注损伤后4h Beclin l和PTEN表达增加,24h达到高峰,5d仍有较多表达。脑缺血再灌注损伤后Beclin l及PTEN表达与假手术组比较均有明显升高(P<0.05)。人工合成E-选择素治疗组表达趋势与手术组一致,但各时间点表达水平比手术组又明显升高(P<0.05)。结论:1.正常大鼠神经细胞内自噬体数量较少,自噬溶酶体相关蛋白Beclin 1、PTEN表达水平较低。2.大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤能激活自噬溶酶体途径,表现为缺血半暗带内自噬体的形成,以及Beclin 1、PTEN随损伤时间表达的增加。3.人工合成E-选择素可以减轻脑缺血再灌注损伤和促进自噬,在脑缺血再灌注损伤早期自噬的激活可能参与神经细胞的保护作用。