水热法生长的KTP晶体光学均匀性好、热稳定性好、透过性优良、电导率低并且激光损伤阈值高。通过分析KTP晶体的电光效应以及弹光效应,并且经过理论计算,发现两块晶体互相正交串联的结构,不仅可补偿静态双折射,在两块晶体受力相等的理想状态时亦能抵消应力双折射的影响。通过对两种不同封装方式、不同尺寸的KTP电光调Q开关进行温度稳定性试验,结果表明应力双折射导致KTP电光调Q开关的温度稳定性变差,性能降低,为了降低应力带来的影响,应选择大尺寸的晶体,并改善组装工艺。研究中采用了水热法生长的粘接式大尺寸KTP晶体制作的电光调Q开关,成功实现了高重复频率Nd:YVO₄激光器的运转。经过对比KTP晶体电光调Q开关与RTP电光调Q开关在Nd:YVO₄激光器中的插入损耗、不同重复频率下的平均功率、脉冲宽度和峰值功率,实验结果表明水热法KTP晶体电光调Q开关性能优异。通过分析温度应力等影响因素,改善水热法KTP晶体制作的电光调Q开关的制作工艺,同时提高了高重复频率水热法KTP电光调Q激光器的性能,使其成功实现高频率、窄脉宽的激光输出,为激光军用武器及激光精细加工等激光应用领域提供了更优选择。