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GOI(Germanium-on-Insulator，GOI)材料兼具Ge材料和SOI材料的双重优点，成为极具应用前景的新型衬底材料。采用高质量的GOI材料作为衬底材料制作MOSFETs器件，可以显著提高器件中沟道电子和空穴的迁移率，降低寄生电容，从而提高器件的性能。因此，制备表面平整、晶格结构完整的GOI材料具有重要意义。
本文采用锗浓缩技术对在UHVCVD系统中外延生长得到的SOI基SiGe材料进行氧化、退火，制备出不同Ge组分的绝缘体上锗硅(SGOI)材料，并对其结构、表面形貌、光学特性等进行表征；利用制得的SOI、GOI材料探索了SOI、GOI肖特基源/漏结MOSFETs器件工艺，并对其电学特性进行表征。本论文的主要研究内容包括以下三个方面：
1、利用超高真空化学气相淀积系统在减薄的SOI衬底上外延生长Ge组分为0.19，应变弛豫度为12％，表面粗糙度为0.8nm，厚度约为70nm的SiGe外延层。
2、采用循环氧化退火的改进型锗浓缩方法制备SGOI和GOI材料。通过优化氧化退火温度和时间，利用SOI基Si0.81Ge0.19材料成功制备出Ge组分从0.24到1的高质量SGOI/GOI材料。研究表明，在氧化退火初始阶段，SiGe层Ge组分不断提高，SiGe层厚度不断减小，由于SiGe层厚度小于临界厚度，其应变状态遵循异质结构的临界厚度限制，应变弛豫度较小。当SiGe层中Ge组分大于0.5时，氧化引起的SiGe层厚度的减小变缓，而Ge组分提高导致临界厚度减小，SiGe层厚度大于临界厚度时，则发生较大的应变弛豫。当形成GOI时，Ge受到张应变，此时的应变由热失配主导。在室温下观测到11nm厚GOI样品Ge直接带跃迁光致发光。
3、设计并探索了SOI、GOI衬底NiSi(NiGe)肖特基源漏结金属栅MOSFETs的制作工艺，制备了栅长为150μm，栅宽为1600μm，环栅面积为2.4×105μm2，栅氧化层厚度约为35nm的SOI、GOI肖特基结源漏MOSFETs。初步测试验证了其电学特性，器件工艺需要进一步优化。