随着现代通讯技术的发展,电子设备对压控振荡器的要求越来越高,传统的压控振荡器功耗高、稳定性差、频率范围窄并且难以集成。本论文采用CMOS工艺,设计了一个高稳定性、宽频带范围的单片集成的压控振荡器,它能很好的应用于锁相环电路中,满足通讯设备的使用需要。本振荡器采用恒流充放电多谐振荡的电路结构,整个电路由带隙基准源模块、电流源模块、控制电压输入模块和流控振荡器模块四个部分组成。其中带隙基准源模块利用带隙技术设计产生了一个接近零温漂高稳定的基准电压,流控振荡器模块通过对传统的射极耦合振荡结构进行改进而得到,电路采用全对称的电路形式,大大减少了各种噪声对电路性能的影响。通过重点对这两个模块的优化设计,我们使得输出的振荡频率不再直接依赖于某一个器件的参数,而是让器件单个参数的影响作用能相互抵消,最后的频率只体现了器件的比值关系,这就从根本防止了因为器件参数的温度系数引起输出频率的漂移,从而使得压控振荡器具有相当好的温度稳定性。本芯片基于1.2um CMOS 2P2M C12DDR工艺进行设计,在该振荡器的设计过程中,我们利用Cadence公司的仿真工具Analog Artist对电路进行了分析仿真,而对仿真的结果分析表明,本文论述的压控振荡器能够达到设计的要求。