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SOI（Silicon-on-Insulator）高压LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）器件具有寄生电容和隔离面积较小，与体硅工艺兼容以及完全介质隔离等优点，由其组成的高压驱动电路可以将前级低压控制信号转换为高压驱动信号，形成维持发光的点火高压和所需的维持脉冲以实现PDP（Plasma Display Panel）显示器的图像显示。
本文设计应用于PDP行扫描驱动芯片的SOI高压LDMOS器件和隔离结构。借助工艺模拟软件TSUPREM-4和器件特性模拟软件MEDICI，模拟优化设计高压器件和隔离结构的主要工艺结构参数，作为后续测试流片的依据和参考。
本文提出的高压器件和隔离结构经过软件TSUPREM-4和MEDICI模拟仿真后，得到主要参数如下：SOI NLDMOS关态耐压252V，阈值电压1．1V，开态饱和电流9．2×10-5A/μm；SOI PLDMOS关态耐压248V，阈值电压-25V，开态饱和电流2．5×10-4A/μm；SOI槽隔离结构耐压220V。以上各参数满足PDP行扫描驱动芯片设计指标要求。
此外，本文还设计开发了一套适用于PDP行扫描驱动芯片的SOI CDMOS高低压兼容工艺流程，满足所设计高压器件和隔离结构的工艺要求。