【摘 要】
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ZnO是一种新型的直接带隙宽带半导体,室温禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV。在大气条件下,ZnO具有六方纤锌矿结构。作为新一代的宽禁带半导体材料,ZnO具有优异的光学、电学及压电特性,在发光二极管、光探测器、电致荧光器件、透明导电薄膜、表面声波器等诸多领域有着广泛的应用。ZnO薄膜的制备方法主要有:磁控溅射法、分子束外延、金属有机化学气相沉积、溶胶-凝胶法等。磁控溅射法由于具有设
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ZnO是一种新型的直接带隙宽带半导体,室温禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV。在大气条件下,ZnO具有六方纤锌矿结构。作为新一代的宽禁带半导体材料,ZnO具有优异的光学、电学及压电特性,在发光二极管、光探测器、电致荧光器件、透明导电薄膜、表面声波器等诸多领域有着广泛的应用。ZnO薄膜的制备方法主要有:磁控溅射法、分子束外延、金属有机化学气相沉积、溶胶-凝胶法等。磁控溅射法由于具有设备简单、成本低、易操作、沉积率高、对基底温度的要求相对较低且薄膜的附着性好,其成分在一定程度上可控等优点
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