本论文对2.5Gbps和20Gbps光调制驱动电路进行了研究，主要包括器件的研制、电路拓扑设计、器件和电路关键工艺研究以及微波测试。取得了以下几项成果： 1.在研究了自对准InGaP/GaAsHBT制备的关键技术的基础上，采用美国kopin公司和上海微系统与信息技术研究所提供的两种材料研制出了fT达90GHz的InGaP/GaAsHBT器件。在国内首次研制成功了基区仅为400A、集电区厚度仅为3500A的薄基区和薄集电区的HBT(材料由上海微系统所提供)，测试并对比了上述两种材料的直流和高频特性，证实了在国内外延片上也可以制备出能与国外外延片特性相比拟的InGaP/GaAsHBT器件。这是在国产4英寸InGaP/GaAsHBT外延片上制备高频器件的突破。 2.创新地提出了由一级差分放大组成的2.5Gbps电路，采用VBIC模型参数进行了模拟，并成功的研制出InGaP/GaAsHBT单片电路。经测量，它的功耗为500mW，上升时间和下降时间(20％～80％)分别为84.4ps和55.6ps，芯片面积为1×1.5mm2，有效地降低了功耗，减小芯片面积约1/3，速度也有明显提高。2.5Gbps驱动电路各项性能指标均远优于2.5Gbps光纤通信系统的要求。 3.针对20Gbps光调制驱动电路的高速要求，提出了一种新的放电回路，使电路的速度有了明显的提高。电路仿真结果显示，电路上升时间和下降时间由原来的17ps和18ps降低到13.4ps和14.5ps。 4.为了降低工艺误差对成品率的影响，进行了工艺容差分析，包括电阻、电容、基区电阻和外集电区电容等。电路仿真结果显示，在较大的工艺偏差范围内，两种电路均能满足各自的光纤通信系统的要求。 5.分析并解决了工艺实现过程中遇到的一些问题，改进了蒸发空气桥制备的工艺，解决了桥墩开裂和漂移的问题，有效地提高了成品率。