充电损伤相关论文
本文研究了MOS器件的等离子体充电损伤，测试和比较了四种等离子体工艺后不同天线比的器件电学参数和击穿特性，主要的工作和研究成果......
探讨了金属氧化物半导体场效应管超薄氧化门在等离子体加工中造成的充电损伤机理,应用碰撞电离模型解释了超薄氧化门对充电损伤比......
介绍了氧化门厚度在８～２０ｎｍ范围内等离子体充电损伤随其厚度减小而变得严重。但是，当氧化门厚度减小到４ｎｍ以下时，这种超薄氧化门比起厚一些的氧......
