光隔离器是光路系统中一个重要的组成部分,它可以使正向传输的光低损耗通过,而对具有同样态的反向传输光表现出极高的损耗。随着集成光学的迅速发展,传统的大型隔离器不能被集成在微纳尺度上,所以对集成光隔离器的需求越来越紧迫。曾经有基于法拉第效应的一维磁光光子晶体光隔离器,并已从实验中证明可以有效地隔离反向光。然而这种光隔离器需要在隔离器的前后两面都集成上偏振片,这使得应用价值大大的受限。本文是基于另一种磁光效应,当入射光波的传播方向垂直于磁化方向时产生的磁光佛克脱效应。在佛克脱效应下,建立了二元磁光光子晶体和三元磁光光子晶体结构。它们在禁带边缘的非互易效应达到最大,利用这个非互易相移区域实现了磁光隔离器功能,并研究入射角度、薄膜厚度、非均匀磁化和磁光材料参数对光隔离器性能的影响。由于这种利用禁带边缘的光隔离器需要巨大的厚度,所以实际制作起来比较困难,因此提出了一种基于缺陷模的磁光隔离器。将磁性材料作为缺陷,两侧是不对称的周期性非磁性介质。由于非互易效应会使正向传输和反向传输的缺陷模透射峰分离,透射峰之间的频率间距可以实现隔离器功能。而入射角度、两侧反射镜厚度和磁光参数也会对这种结构的隔离器性能产生影响。同时设计了一种中间缺陷为普通低折射率介质,两侧是磁性材料和普通介质材料交替组成的反射镜层的结构,同样两侧的反射镜层是不对称的。这种中间为低折射率的结构的透射峰较高,可以做成性能更优异的光隔离器。