窄带光电探测器因具有抗背景光干扰特性,被广泛应用于安防监控、图像传感、国防、环境监测等领域。pn结型光电探测器具有自驱动效应,在光电集成领域具有广阔的应用前景。但是由于传统的pn结具有宽光谱光电响应特性,使得它在窄带光电探测器中的应用受到了限制。在本文中我们制备了基于CuGaTe₂/Si pn结的无滤波器自驱动窄带近红外光探测器。CuGaTe₂/Si pn结窄带探测的实现归功于CuGaTe₂微大于Si的带隙以及其厚度对光电流产生区域的调控作用。CuGaTe₂可看作具有高光谱选择特性的“滤波器”,对于光子能量大于其带隙的光波几乎透明。通过改变CuGaTe₂薄膜的厚度可以调控CuGaTe₂/Si pn中的光电流产生区域,进而调节其光谱选择特性。因此优化CuGaTe₂薄膜的厚度可以实现中心波长在硅的带隙左右的窄带光电响应。在本研究中,当CuGaTe₂薄膜的厚度为～143 nm时,器件具有峰值为～1050 nm,半峰宽为～118 nm的窄带光电响应。得益于器件的自驱动效应,器件在1064 nm光照下的响应度可达～114m A/W。此外CuGaTe₂/Si pn结能显著抑制暗电流,使器件的开关比达到～10⁴,比探测率高达～10¹²jones。基于窄带CuGaTe₂/Si光电探测器的成像系统具高光谱选择性及抗噪声能力。而且它简单的硅基异质结构使其可以与硅基微电子平面工艺兼容,在光电集成领域具有广阔的应用前景。