ZnO/SiO<,2>/Si结构声表面波滤波器的设计和研制

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在该课题中,一系列的ZnO/Al/SiO<,2>/Si结构的声表面波滤波器被设计,制作出来并进行了测试.最后的测试结果显示滤波器的中心频率可达600-1200MHz,带宽有5﹪,11dB的插损.在刻蚀Al电极的时候,选用了反应离子刻蚀(BJE),因为对于宽度只有0.6μm,长度有200μm的线条来说,湿法刻蚀基本上是不可能的.而干法刻蚀则不存在这一问题,它能够很好的控制刻蚀的尺寸,并且干刻中存在的一些问题比如可重复性以及对衬底损伤等问题也已经得到了解决.刻蚀的结构用SEM观测,线条基本上没有发生连指断指等情况,取得了比较好的效果.ZnO薄膜的淀积采用了H46500型直流磁控溅射台.在溅射中各种参数的控制对于制备高性能的ZnO薄膜至关重要,尤其是衬底温度,气体压力和溅射速率这三个参数.在经过长时间的研究和经验积累,在设计中实际淀积的ZnO薄膜经过SEM分析具有高度的透明性,良好的纤维状结构和C轴取向性.制备的滤彼器的频率特性有HP8150C网络分析仪进行了测试,在测试中使用的探针台是CASCADE2212.测试后的结果证实,在滤波器的不同工作模式下,瑞利波薄膜工作模式取得了最佳的性能.实际结果证明znO/SiO<,2>/Si结构 在RF电路上面的应用还是很有前途的.
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