由于单晶硅在各种高pH值的碱性溶液（如:EPW,KOH,H₂N—NH₂,NH₄OH,TMAH等）中表现出各向异性腐蚀特性,因此在微电子、微光学、微机械系统领域,体硅微机械技术得到广泛应用。随着应用的深入,器件性能的提高,要求单晶硅腐蚀表面光滑平整、无缺陷,但实际上在腐蚀剂（如:KOH、TMAH等）中腐蚀后,单晶硅表面会出现一些粗糙状态,关于这些粗糙状态的成因有许多解释,其中反应产物——氢气和硅酸盐——严重影响了硅腐蚀面的粗糙度。 为了尽量消除单晶硅腐蚀表面的粗糙状态,人们提出了各种办法,例如:在腐蚀液中加入氧化物（氰铁酸盐或氧气）或正向偏压电化学腐蚀,加入乙醇或异丙醇,进行超声振荡等。通过加入表面活性剂以改善单晶硅各向异性腐蚀特性的报道还不多。 本文总结了硅在碱性腐蚀液中各项异性腐蚀的机理模型,并对模型的发展提出了建设性的意见。 通过分析溶液的微观结构和溶液中粒子数密度的涨落,指出当溶液由于成分变化或外界条件变化后,溶液的结构也随之发生变化,相应地溶液性质也会发生变化,影响了腐蚀结果。着重介绍了表面活性剂的各种性质,以及溶液中加入活性剂后溶液性性质的改变。 通过大量的实验,测定了复合型非离子活性剂改变腐蚀液表面张力的状况;研究了溶液pH值对腐蚀结果的影响:首次重点分析了在KOH溶液中加入超过cmc的活性剂,硅的腐蚀面粗糙状态随着活性剂浓度的变化而变化的情况,得到结论:当腐蚀液中加入的活性剂浓度大于它的cmc时,硅腐蚀面的粗糙状况随着活性剂的浓度的增大而减小;对于腐蚀过程中产生的大量的气泡,可以加入双氧水的到很好的解决,最后分析了双氧水消除氢气气泡的原因和双氧水参加硅腐蚀化学过程所起的作用。