该文首次提出了利用Al-Mg-Si合金直接氮化法制备高纯AIN粉体,证实了该方法的可行性,并对的合成机理进行了较深入的探讨.首先,从热力学角度论证了利用Al-Mg-Si合金直接氮化生成AIN的可能性.着重讨论了合金中的掺杂元素Mg和Si在热力学方面的作用,包括Mg在氮化反应初期的初级脱氧,Si在氮化条件下富集的可能性.并通过热力学计算,证明了在氮化阶段AIN晶体与Si晶体双晶共生现象的可能性.第二,通过对氮化产物物理性质的分析,包括化学成分、原子吸收光谱、X-ray衍射、微观结构、颗粒聚集状态等,证实了该方法所合成的AIN粉体完全符合电子基板材料的原料粉的基本要求.第三,通过对氮化产物特征分析,提出了铝合金氧化反应宏观表面的胞状生长机理,以及材料内部晶体生长的VLSS生长机理.最后,通过对氮化反应传质过程及动力学的初步分析,总结出N<,2>向气-液界面的溶解和溶解态的AIN从反应界面向下部AIN晶体基底的扩散均对AIN晶体的生成有很大的影响.而铝合金溶液的毛细输送和化学反应不是整个氮化过程的控制环节.