随着半导体产业与集成电路的不断飞速发展，对于单块芯片的集成度有了越来越高的要求。这意味着在硅片晶圆表面上刻蚀的线条也要求越来越细，而传统的干式光刻技术已经越来越不适用。在下一代光刻技术中脱颖而出的是浸没式光刻技术，即在传统的干式光刻系统最后一片投影物镜的下表面与硅片之间填充高折射率的液体。经过对比，局部浸没法最优，但是需要保持浸没液体的持续更新，同时保证液体不能泄漏。这就需要在持续的注液，以及注气维持密封的条件下，设计合适的气液回收系统来与其他功能单元之间协调运行，起到气体和液体回收的作用，并保证浸没单元内部核心流场不受此影响。因此，设计一套适用于浸没式光刻机的气液回收系统就显得尤为重要。　　本课题针对浸没式光刻系统对于气液回收设计所提出的功能需求和性能需求展开，设计了一套完善的浸没式光刻两级气液回收系统，具体完成的工作包括以下的内容。　　分析不同气液回收系统的设计方案，对比各自性能的优缺点，将该系统的方案确定为气液分离后再连续回收的设计。之后和02专项的气液回收系统进行对比，完善其存在的缺点与不足，最终确定该系统为两级气液分离回收的系统。　　在系统工艺流程方案设计的基础之上确定了系统的工作流程，然后对元器件进行选型，对所有的用电设备进行电气结构设计，最后确定系统为PLC+工控机的控制方式，根据工作流程编写了PLC控制程序。　　根据选用元器件的外形尺寸，以及机柜设计的尺寸要求，将所有元器件及机柜进行结构设计，同时考虑到设计安装的需求，设计了一些安装联接件进行虚拟组装，最终将所有元器件封装在初级机柜和二级机柜中并搭建了实体样机。　　根据系统的物理结构分析控制模型，由于系统的不确定因素较多而引入模糊PID控制的方式，并将系统在MATLAB/Simulink下进行仿真，证明所设计的控制方式的有效性与可行性，可以实现压力的较好控制。