Fe、Ni掺杂ZnO基稀磁半导体的研究

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本文采用水热法,以3mol/L KOH作为矿化剂,填充度为35%,温度为430℃,在前驱物(Zn(OH)2或ZnO)中分别添加一定量的NiCl2·6H2O, FeSO4·7H2O等,反应24小时合成掺杂Fe或Ni的ZnO晶体。实验发现,Fe, Ni掺杂ZnO晶体呈锥状,晶体极性生长特征明显。反应溶液中添加Sn, Al, In离子后,ZnO晶体的+c轴极性生长速度得到有效的控制,合成的晶体大面积显露正负极面,结晶质量明显提高,晶体表面光滑,结构完整。采用SQUID进行磁性测量,发现ZnxFe1-xO晶体同时具有顺磁性和室温铁磁性。Fe、Sn共掺杂ZnO晶体显示顺磁性和较弱的室温铁磁性;Fe、In共掺杂ZnO晶体具有较弱的铁磁性,300K时还显露出一定的抗磁特征;Fe、Al、In共掺杂ZnO晶体在室温300K时有非常弱的铁磁性,显露出一定的抗磁特征;Ni掺杂ZnO晶体5K时具有顺磁性和较弱的铁磁性,300K时出现了一定的抗磁性;Ni、Al、In共掺杂ZnO晶体,300K时不仅显露弱铁磁性,还显露出抗磁特征。通过EDS, XRD, SEM分析Fe, Ni掺杂ZnO晶体中的杂相,发现Fe掺杂ZnO体系中,除了有ZnxFe1-xO存在外,还有尖晶石结构的ZnFe2O4存在。Ni掺杂ZnO体系中,除了有ZnxNi1-xO存在外,还有NiO出现。
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