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InAs/AlSbHEMT具有高电子迁移率,高电子饱和漂移速度,高2DEG面密度。这些特点使它成为了高速,低功耗,以及低噪声应用最具竞争力的器件之一。本文对InAs/AlSb HEMT进行了多方面的研究,主要取得了以下成果:利用Sentaurus TCAD建立了 InAs/AlSb HEMT仿真平台,并对它的直流交流特性进行了仿真。通过仿真得到栅长为250 nm的InAs/AlSb HEMT直流与交流特性。在Vds=0.4 V的条件下,饱和漏极电流Id达到了 768 mA/mm,SS为140 mV/dec,峰值跨导gm达到了 1942 mS/mm。器件的截止频率ft和最大振荡频率fmax分别为199 GHz和489 GHZ。仿真结果表明了该器件的优越性。对InAs/AlSb HEMT的制备工艺进行了初步的探索,设计了完整的长沟道器件制备流程。重点研究了欧姆接触,台面隔离,肖特基栅这三步关键工艺。欧姆接触采用电子束蒸发Pd/Ti/Pt/Au(20/30/30/30 nm),剥离之后再进行快速热退火形成欧姆接触。通过TLM测得Rc与ρc分别为0.116 Q·mm和3.50×10-7Ω·Cm2。台面隔离采用反应离子刻蚀,刻蚀气体为Ar/Cl2/CH4。在制备肖特基栅之前先用柠檬酸双氧水混合溶液腐蚀出栅槽,然后采用电子束蒸发Ti/Pt/Au(20/20/300 nm),然后剥离。最终,制备出了 Lg=～2μm,W=2×50 μm,/SD=～8μm的器件。直流特性表明该器件具有优异的载流子输运特性,但是的栅控能力较差。提出了抑制InAs/AlSb HEMT栅极漏电流最为直接的方法就是在InAlAs与金属栅之间加入一层high-k介质形成MOS-HEMT,并利用之前搭建的仿真平台对它的直流交流特性进行了仿真。仿真结果得到,栅长为250 nm的器件在Vds=0.4 V的条件下,饱和漏极电流/d为822mA/mm,与HEMT相比略有提升,SS为181 mV/dec与HEMT相比大了很多,峰值跨导gm为1876 mS/mm与HEMT相比略有下降。此外,MOS-HEMT的截止频率ft和最大振荡频率fmax分别为292GHz和403GHz。分析了 MOS-HEMT的核心A1203/InAlAs MOS结构的导电机制。发现在正向偏置条件下,肖特基发射为主要的导电机制,并提取出了 Al2O3的相对介电常数εr与肖特基势垒高度(A12O3与InAlAs之间的势垒高度)分别为8.09和0.6±0.01 eV。在反向低偏置条件下,导电机制也符合肖特基发射,并提取出了动态介电常数与肖特基势垒高度(A12O3与金属电极之间的势垒高度)分别为1.64-2.86和0.70±0.01eV。而在反向中高偏置条件下,电流-电压特性符合空间电荷限制(SCL)导电机制。在所有温度下都能观察到TFL conduction。根据TFL conduction的J-T关系提取出了介质层中陷阱的深度(Ec-Et)。除此之外,Ohm’slaw只能在343K下观察到,TFL conduction与Child’s law的过度只能在323与343K下观察到。其原因是不同温度下,导电机制发生转换的条件发生了改变。