【摘 要】
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该文首先讨论了GaN材料基本性质,探讨分析了利用MOCVD设备在SiC衬底001晶向生长GaN单晶薄膜材料的工艺方法与控制条件.其次对薄膜材料表征技术如表面形貌分析、晶体结构分析
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该文首先讨论了GaN材料基本性质,探讨分析了利用MOCVD设备在SiC衬底001晶向生长GaN单晶薄膜材料的工艺方法与控制条件.其次对薄膜材料表征技术如表面形貌分析、晶体结构分析、材料元素分析、光学性能分析等技术进行了研究,并深入分析了测试结果,综合显示GaN质量较高,明显优于同等工艺水平下蓝宝石衬底外延出的GaN薄膜材料;利用SEM图象分析了表面出现的各种缺陷及可能的形成原因,XRD测试了外延生长出的GaN单晶薄膜材料最小FWHM为15,采用XPS、SIMS分析了外延层表面元素组分和深度剖面元素变化,同时利用PL谱图分析了蓝光和黄光发射机理,就Ga流量对它们的影响做了对比与分析,通过分光光度计测量了不同生长时间样品的薄膜厚度.
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