本文以Ni-Al-V合金为对象,首次采用微观相场法系统研究了温度、浓度对成核孕育期、沉淀序列、沉淀机制的影响规律,以及有序畴界面结构、界面迁移性、形核取向性。 随温度降低,γ′相和θ相的形核孕育期缩短、形核率提高和长大速度加快。随Al浓度减小,两相的孕育期延长;沉淀序列由θ相先析出,过渡到θ相和γ′相同时析出,再过渡到γ′相先出现。 得出了沉淀机制对温度、浓度的响应关系。随温度降低,Ni₇₅Al_4.5V_20.5合金的θ相沉淀由非经典形核机制向等成分有序化+失稳分解机制转变,γ′相沉淀由异相非经典形核机制向非经典形核+失稳分解机制转变;Ni₇₅Al_6.5V_18.5合金的θ相的沉淀机制由非经典形核+失稳分解向非经典形核转变,γ相的沉淀机制由异相非经典形核+失稳分解向等成分有序化+失稳分解逐渐转变;Ni₇₅Al_7.5V_17.5合金的θ相的沉淀为异相非经典形核机制,γ′相沉淀机制从非经典形核+失稳分解转变为等成分有序化+失稳分解。 γ′（L1₂）相之间、θ(D0₂₂)相之间、γ′（L1₂）与θ(D0₂₂)相之间分别有三种、八种、四种界面结构,根据界面的相对关系和界面结构,又可分为可迁移界面和不动界面,并对界面演化和界面处析出有重大影响,沿[010]θ方向（004）θ与（001）θ面相遇,有序相界面重新溶解为无序区,（001）θ与（001）θ面相遇,界面处可析出γ′相。γ′（L1₂）相和θ(D0₂₂)相在有序界面的形核位置和生长方向具有择优取向性。