GaN HEMT /SiC MESFET是近年来发展起来的新一代宽禁带半导体器件,开展GaN HEMT /SiC MESFET器件测试、建模理论的工作,有助于指导该类器件的研究,降低研制成本,提高效率,加快研究进展。本文采用等效电路模型的方法,从器件内部载流子输运机理的物理特性出发,对模型中关系比较复杂的重要拟合参数用精确的数学关系式表达,从理论角度分析其物理意义,在GaAs的模型基础上开发出GaN和SiC材料器件新的非线性模型,结合各种仪器测试得到的数据,采用梯度、随机、POWELL、混合等优化算法,模拟与测量数据达到吻合,从而确定器件模型参数,测量数据主要是采用国内比较先进的仪器,对器件的高压I-V特性进行多次测量,并对数据进行比较和分析,确定出比较精确的数据结果。建模软件的模拟结果与ADS等比较先进的软件进行对比,结果符合比较好,目前,非线性模型已应用到实际电路设计中,指导器件的设计和制作。但模型还有很多缺点,需进一步改进,使其能更好的适合电路设计的需要。