随着目前多个行业的发展例如通讯、计算机等对芯片性能的需求越来越高,体积需求也越来越高,这使得器件晶圆的厚度越来越小,随之而来导致了在薄晶圆转移时出现的器件晶圆破裂问题越来越显著。热滑移解键合、机械剥离解键合以及激光剥离解键合以其简单的工艺步骤,可靠的键合性能被广泛应用在目前芯片制程的晶圆转移过程中。但是,这三种主流的解键合方式在键合胶的去除过程中会出现晶圆界面温度升高较大的情况,其普遍工作温度在200℃-400℃,对键合界面引入了较大的热应力,从而导致超薄器件晶圆的破裂、翘曲等损坏。因此,对晶圆转移过程中的键合材料以及简便可靠,对器件晶圆损伤较小的解键合方式进行研究,对简化临时键合工艺,提升效率以及提升芯片良率具有重要的意义。本文采用了实验的方式对晶圆临时键合以及解键合中存在的键合可靠性进行了研究,研究内容如下:(1)基于干态粘附机理,制作了高深宽比粘附阵列以作为晶圆键合材料。利用了干态粘附强粘附、易脱附且具有自清洁效应的特点,通过掺杂碳量子点(Carbon dots)对聚二甲基硅氧烷(PDMS)进行粘附改性,制作了不同CDs掺杂浓度的键合材料试样,同时分别采用原子力显微镜(AFM)和自主设计的宏观粘附力测试系统对键合材料与硅试样表面在不同工况下的微观粘附力以及宏观粘附强度进行了测试。(2)通过在不同工况下的粘附性能测试确立PDMS-CDs键合材料的有效解键合调控方式,同时通过宏观粘附强度测试系统进行键合强度可靠性测试。通过傅里叶红外光谱和接触角实验对不同工况下不同CDs掺杂浓度的键合材料与Si试样表面粘附机理进行研究,得到不同CDs掺杂浓度的PDMS-CDs键合材料在不同工况下的表面粘附功以及表面官能团情况,从而揭示PDMS-CDs键合材料工作机理。