二维二碲化钼(Mo Te2)是一种新兴的二维材料,由于其独特的结构和优异的性能引起了科研届的广泛关注。二碲化钼具备可调控的能隙、良好的光吸收性,可应用于可见至近红外波段的光探测,在光电器件领域有重要的应用潜力。本文主要研究了机械剥离法制备的二碲化钼的光学与光探测性能,并通过激光辐照实现了二碲化钼由半导体(2H)相到半金属相(1T’)的转变。最后,通过干法转移制备了石墨烯/二碲化钼(Graphene/Mo Te2)异质结并研究了其光探测性能。本论文共有四章,各章内容简述如下:在第一章中,我们首先介绍了二维二碲化钼材料的基本性质,以及二维光电探测的基本原理、研究现状与发展趋势。在第二章中,探讨了不同层数的二碲化钼的光学对比度、拉曼光谱和光致发光光谱。发现1-3层的二碲化钼R通道的光学对比度值随层数线性增加,可以用于判断二碲化钼的层数。研究了二碲化钼拉曼光谱随层数的变化及光致发光光谱随温度的变化。利用激光辐射的方法成功地诱导了二碲化钼从半导体(2H)相到半金属相(1T’)相的局域相变。在第三章中,我们制备了基于多层二碲化钼的光探测器,并系统地测试了器件在不同光功率、偏压、背栅电压以及光波长下的光电响应。该器件在可见光波段的光响应度达到5 A/W,探测率为1.5×109 cm Hz1/2W-1,探测波段延伸至近红外1.5μm。并利用干法转移制备了Graphene/Mo Te2的质结,研究了异质结中的电荷转移及对光电响应性能的影响。在第四章中,我们总结了本论文的主要研究成果,并展望了未来可能开展的一些研究方向。