【摘 要】
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该论文系统地介绍了常见的Ⅲ-Ⅴ体材料的基本物理性质、异质结外延生长、应力释放过程、减少应变层中位错密度的常用方法、Ⅲ-Ⅴ分子束外延技术和设备特点以及作者在博士研究
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该论文系统地介绍了常见的Ⅲ-Ⅴ体材料的基本物理性质、异质结外延生长、应力释放过程、减少应变层中位错密度的常用方法、Ⅲ-Ⅴ分子束外延技术和设备特点以及作者在博士研究期间所做的主要工作:第一部分介绍了研究人员首先提出的在GaAs衬底上生长高质量完全弛豫的InAs层的二步生长方法.这种生长方法结合了在富In条件下线位错和层错等结构缺陷少的特点以及在富As条件下点缺陷少和物性好的特点.第二部分研究人员运用了位错控制技术生长高质量的高In组份的HEMT.首先,用阶跃式增加In组份的方法来获得高质量的缓冲层;然后,优化和调整掺杂浓度,势垒层的厚度,沟道宽度等参数,使迁移率和电子浓度趋于最佳值.研究人员获得室温和77K下的霍尔迁移率和电子浓度分别为:室温,μ=7102cm<2>/V.S,n=2.9×10<12>cm<-2>;77K,μ=22396cm<2>/V.S,n=2.28×10<12>cm<-2>;跨导为Gm=300-430mS/mm,比在GaAs上生长的P-HEMTs的结果要好.
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