【摘 要】
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随着集成电路制造技术的发展,CMP被广泛应用于晶圆平坦化处理。尽管CMP技术具有相对良好的平坦性,但是由于下层版图图形密度不均匀,仍然会导致抛光后电介质的厚度变化不均匀
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随着集成电路制造技术的发展,CMP被广泛应用于晶圆平坦化处理。尽管CMP技术具有相对良好的平坦性,但是由于下层版图图形密度不均匀,仍然会导致抛光后电介质的厚度变化不均匀。冗余金属填充技术的采用有效缓解了这一问题,但这一技术引起的耦合电容对电路性能和成品率有着重要的影响。本文从填充区域选择,填充模式优化以及寄生电容提取三个方面解决冗余金属填充存在的问题。首先给出了计算安全填充区域的优化算法,然后对菱形冗余填充模式的主要参数进行了研究。并以此为基础提出计算菱形填充模式耦合电容增量的查找表算法。该算法速度快,精度高,通用性强,可用于冗余金属填充设计过程中的寄生参数提取和性能优化。
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