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本文的研究目的是探索制备电子封装用高导热陶瓷基板的新方法。在对理论和应用现状充分调研的基础上，提出以立方氮化硼（cubic Boron Nitride，cBN）为实验原材料，采用高压烧结制备聚晶立方氮化硼（Polycrystalline cubic BoronNitride，PcBN）导热陶瓷的实验方案。实验采用六面顶大腔体压机为高压烧结的实验平台。为此，借助热电偶测温法和金属熔点法，首先较准确地标定了六面顶压机腔体温度和压力。设计了合理的高压烧结条件以及粉料预处理和组装方式，在6GPa、1500℃条件下成功烧结了PcBN陶瓷。对高压制备的PcBN陶瓷进行了密度、SEM、XRD、抗弯强度、线膨胀系数和热导率测量，综合分析得到的研究结论如下：1.在cBN原料中适量添加金属Al和Co，可以极大程度地提高PcBN陶瓷内部晶粒之间的粘合。添加金属Cu的效果完全相反，表明Cu对于PcBN的高压烧结而言，不是一种有效的助烧剂；2.不添加任何金属助烧剂的纯PcBN陶瓷，线膨胀系数对cBN颗粒粒度存在一定的依赖关系，晶粒越小，线膨胀系数越大，但是总体上与Si的是基本匹配的。添加适量金属Al和Co，PcBN陶瓷的线膨胀系数不再与cBN颗粒粒度相关，而且测量值与Si的线膨胀系数有极好的一致性；3.纯PcBN陶瓷的热导率在40-60W/mK之间，并且随粒度的增大而减小，当cBN粒度小于10，PcBN的热导率在总体趋势上符合Goldsmidt-Penn-Parrott模型的预言。添加金属Al和Co的PcBN陶瓷的热导率达到了100W/mK之上，符合高导热陶瓷对热导率的要求。同时也说明适量的助烧剂可以使PcBN陶瓷具备高热导率；本文借助高压设施，在极短时间内实现了cBN晶体粉末的烧结，克服了传统的陶瓷烧结工艺的缺点，同时也提高了烧结效率。制备的PcBN陶瓷，无论从热导率、线膨胀系数还是抗弯强度等指标衡量，都达到了电子封装对于陶瓷基板材料的要求。进一步调整cBN粒度和助烧剂，以及以hBN为原材料制备PcBN高导热陶瓷，是今后进一步研究的方向。