内嵌Al氧化物限制条(ACIS)的边发射激光器,能够综合脊波导结构(RWG)和掩埋异质结结构(BH)的边发射激光器的优点而避免它们的缺点,是一种很有前途的边发射激光器.但是,国际上至今未有有源区为AlGaInAs的ACIS激光器的报道.同时,国际上所报道的ACIS边发射激光器的结构设计中,内嵌的Al氧化物和有源区之间都有一定厚度的隔离层,至今没有研究小组来验证Al氧化物距离有源区太近会对激光器性能产生什么影响.直接氧化有源区两侧的Al化合物波导层形成ACIS制作激光器,能够填补国际相关研究的一些空白,是非常具有意义的一项工作.该论文主要涉及内嵌Al氧化物限制条长波长AlGaInAs边发射激光器的研制,其主要工作内容为:1.搭建Al化合物的湿热氧化平台,并调试成功.2.研究了Al化合物尤其是Al<,0.47>In<,0.53>As的湿热氧化有关问题,包括氧化的化学原理,氧化速率的各种影响因素,氧化物的质量、电学和光学性质等.3.进行了ACIS的AlGaInAs应变多量子阱边发射激光器的研制,首次取得比较好的结果.所研制的激光器的阈值电流12.9mA,单面斜率效率0.47W/A,相比具有与ACIS激光器的电流通道同宽度的脊条的PWG激光器,阈值电流降低31.7﹪,斜率效率稍有提高.P-I曲线的线形特性很好.湿热氧化过程没有引起激射波长的漂移.近场特性表明没有侧向电流泄漏.水平方向和垂直方向的远场FWHM角度分别为36.1°和21.6°.4.首次研究了对与AlGaInAs有源区相邻的Al化合物波导层进行湿热氧化后,对有源区的影响和对激光器特性参数的影响.实验发现,氧化台比较窄,或者电流通道比较窄的ACIS激光器的性能都不尽如人意.两者宽度都适中的ACIS激光器在加速寿命筛选实验中的表现也比较差.