有机半导体材料在金属表面的吸附，由于其在制造小尺寸、高性能的电子器件方面的潜在应用前景，引起了人们的研究兴趣。许多研究表明控制生长高质量有序薄膜是制造这些电子器件最为关键的因素。因此，研究吸附分子在界面上的几何结构和电子结构是必需的，这些结构直接影响电荷注入能力、电荷迁移和光子的发射过程。分子在基底上的自组装结构体现的是分子一基底作用和分子一分子作用之间的平衡。分子和基底的相互作用控制着界面电子态以及单分子和分子群体在基底表面的吸附结构。　　 我们用密度泛函理论计算了Fluorescein分子在Ag(110)基底上的吸附结构和电子态。Fluorescein分子的最稳定的吸附结构是空位吸附，吸附能是2.43eV。这个吸附结构最主要是由分子和基底的相互作用决定的，尤其是Ag和O之间的相互作用。电荷主要从金属基底迁移到有机分子，从而使得基底最上层的有Ag原子显正电性，增强了Ag和有机分子之间的吸附作用。Ag和O之间的相互作用使得分子中的Triring平面扭曲，变成非平面。　　 接下来我们利用紫外光电子能谱(UPS)、角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)和密度泛函理论(DFT)研究了Ag(110)基底表面FePc分子的吸附状况。随着有机分子覆盖度的增加，Ag基底的d电子峰的移动和有机分子FePc的特征峰的变化说明有机分子轨道和基底的d能带之间存在相互作用，有机分子和基底之间存在电荷的转移和重新分布。ARUPS测量显示单分子层时有机分子平面平行于基底平面。第一性原理的理论计算证实了实验的结论并且得到顶位吸附是最稳定的吸附结构。　　 最后我们用扫描隧道显微镜(STM)和第一性原理(DFT)研究了FePc分子在Cu(100)面上的吸附结构。如果FePc分子以小于0.1ML/min的蒸发速率蒸发，当未达到单层覆盖时，我们可以看到FePc分子以各自孤立、分散和平躺的方式吸附在基底表面。如果分子的沉积速率大于0.5ML/min，FePc分子不是以单个分子的形式吸附，而是以分子团簇吸附在基底表面上。对基底进行高于420K的加热，我们可以观察到p(2×5)和p(5×2)的有序结构，这种结构中分子是“倾斜”吸附的。分子排列分别沿着[011]和[011]晶向。