作为一种典型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,CdTe纳米团簇由于其性质的可调性引起了广泛的关注,尤其是掺杂纳米团簇。本文利用密度泛函理论（DFT）对（CdTe）_16×N（N=1-3）纳米链、Ag掺杂（CdTe）_16×N（N=1-2）纳米链以及Ag掺杂的（CdTe）₃₄壳核纳米团簇进行了研究。首先,对（CdTe）_16×N（N=1-3）纳米链进行了计算分析,研究结果表明,纳米链的结构稳定性高于组成链的单个笼状团簇,且链接个数和连接方式是影响团簇稳定性的两个重要原因。此外,纳米链团簇的能带隙值较单个（CdTe）16团簇能带隙窄,呈现典型的量子点特性。在（CdTe）_16×N（N=1-2）纳米团簇链的基础上,我们进一步研究了 Ag替代掺杂纳米链的性质及其与Ag掺杂位的关系。研究显示,掺杂位对结合能、能带隙和态密度有着直接的影响。Ag掺杂在能带结构上显示能带隙中引入了一新的浅能级,受主能级。Ag原子以及Ag原子近邻的三个Te原子对该能级有明显的贡献,且三个Te原子中距离Ag原子最远的Te原子的贡献最大。同时,Ag掺杂也改变了团簇的电荷密度分布。最后,详细分析研究了由一（CdTe）₂₈的笼状团簇内嵌了一个（CdTe）₆团簇构成的（CdTe）₃₄壳核纳米团簇及其Ag掺杂的结构和性质。结果同样显示,掺杂可提高团簇的稳定性,且性质均随掺杂位不同而变化。