本论文对两种不同的硫化物：Cu₂S和CuInS₂，分别进行了详细的介绍。Cu₂S是常见间接带隙的p型半导体中的一种，块材的带隙接近为1.2eV。因此在光电方面具有潜在的应用价值，而且Cu₂S在自然界中以辉铜矿的形式大量存在，因此合成Cu₂S半导体材料的成本较低。到目前为止，Cu₂S已经应用过制备太阳能电池、光电器件、光催化以及其他一些光电方面的应用，因此对Cu₂S的光电性能的研究将在未来的发展中具有很大的价值。CuInS₂是一种带隙为1.5eV的P型半导体，它属于Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物，其分子结构一般为黄铜矿结构，由于它是一种直接带隙的半导体，因此对太阳光具有较大的吸收系数，且在长时间的光照激发下能够保持稳定等优势，使得近些年人们将其大量应用于制备太阳能电池的光吸收材料并取得了一些显著的成果，因此研究CuInS₂半导体纳米材料的光电方面的性能，有助于我们今后进一步提高其性能。本论文首先直接在Cu片上合成了Cu₂S纳米材料，使用的是操作简单的液相法。接着将Cu₂S薄膜转移到PDMS上，成功的制作了柔性的Cu₂S光探测器。最后将其应用于对紫外光和近红外光的光传感测试并得到较好的结果。同时本文还将其用与制作气体传感器，发现材料对NH3具有一定的响应。最后将其应用于制作量子点敏化太阳能电池（TiO₂为光阳极，CdS量子点敏化）的对电极，与Pt进行对比发现Cu₂S性能更好。接下来，本论文合成了CuInS₂三元硫化物，并且对它的光电方面的性能进行了研究。首先，我们通过两种不同的液相法（水热法和回流法）分别获得了球状和花状的纳米结构。接着通过刮片的方法将材料涂覆在FTO玻璃上，与镀有Pt的对电极组合成光电器件，在太阳能下进行测试发现花状结构的样品比球状结构的样品性能更好。最后我们还将其与石墨烯进行混合希望提高材料的光电性能，通过实验发现添加石墨烯的样品其光电性能确实有了一定程度的提高，并且通过实验证明了光电流的提高并不是由石墨烯本身吸收光能产生的，石墨烯只是起到一个辅助电子传输的作用。