近年来，电流驱动磁畴壁运动的研究吸引了越来越多人的关注。2008年 IBM的Parkin提出赛道存储器的概念，由于其潜在的应用价值，许多研究者开始从事这方面的研究。目前，关于赛道储存器的研究，已经从自旋转移矩驱动畴壁运动的研究，向自旋轨道矩驱动畴壁运动的研究转变。而由于自旋-轨道矩对于未来磁性器件的重要性，本文主要从以下三个方面进行了研究：磁畴壁运动中高阶自旋-轨道矩的作用；倾斜电流产生的自旋-轨道矩驱动的手性畴壁运动；平面磁各向异性结构中自旋-轨道矩驱动的手性畴壁运动。　　研究中，本文采用集体坐标的方法，以 Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski方程为基础，利用Walker试探解，系统地分析研究了磁畴壁的运动过程。　　首先，在高阶自旋-轨道矩的研究中，我们发现了在电流沿着平面易轴和电流垂直于易轴、易轴垂直薄膜的情况下,畴壁运动的方向取决于畴壁的构型和手性。特别是，畴壁运动的方向可以利用最初的畴壁手性来控制。所以,只要涉及到自旋-轨道机制,我们可以采用电流沿平面易轴的方案去提高速度和控制畴壁的方向，同时，我们也发现在自旋-轨道矩的某些参数区域Walker崩溃能够被避免。　　其次，我们在倾斜电流产生的自旋轨道矩驱动手性畴壁运动的研究中，发现了倾斜电流在控制畴壁运动的方向上更灵活。　　最后，我们在平面磁各向异性结构中自旋-轨道矩驱动手性畴壁运动的研究中，发现了在低电流区域畴壁的极化存在一个转换，而在高电流区域中畴壁运动速度的增加与Dzyaloshinskii-Moriya(DM)相互作用的强度成正比；DM相互作用的存在使得畴壁能保持可持续性的进动。更进一步的发现是， DM相互作用使得邻近的畴壁拥有同样的手性和同样的运动方向。