钙钛矿太阳能电池（PSCs）因其具有较小的激子束缚能、优异的光吸收能力以及制备方法简单、低成本等特点,引起了研究人员的广泛关注。目前,虽然PSCs的效率已经超过25.5%,但由于钙钛矿薄膜制备过程中引起的缺陷（表面缺陷、晶界缺陷）问题已经成为限制其效率进一步提升的最大瓶颈。因此,降低钙钛矿薄膜缺陷密度来提高电池器件的效率和稳定性具有重要研究意义。本论文以有机小分子（苯并噻吩、咔唑、吩噻嗪、苝四羧酸二酰亚胺）为主体材料,利用溶剂热法和共沉淀法构筑了平面π共轭结构功能材料,系统的研究了其对钙钛矿薄膜缺陷（表面缺陷、晶界缺陷）的钝化机理。主要研究内容如下:1.针对钙钛矿薄膜的表面缺陷,本工作提出以苯并噻吩、咔唑、吩噻嗪作为碳源,采用溶剂热制备具有π共轭结构且可以有效钝化钙钛矿薄膜表面缺陷的碳点。研究结果表明,通过溶剂热处理,苯并噻吩分子裂解重组形成了碳点。此外,溶剂热处理过程中新官能团C-O-C的出现,提升了其HOMO能级,使其与钙钛矿的价带更加匹配而有利于空穴传输。然而,在相同条件下,由于咔唑、吩噻嗪分子未达到断键的能量,并未发生化学键的断裂以及碳点的形成,其HOMO能级变化较小,与钙钛矿的价带失配。更为重要的是,由于苯并噻吩碳点结构中的S=O和C=O键的出现,有效钝化了钙钛矿表面缺陷,减少了载流子的复合,进而提高了器件的性能。以上述产物作为空穴传输材料,与无新官能团出现的咔唑产物（11.65%）和吩噻嗪产物（9.50%）制备的器件相比,苯并噻吩碳点修饰的器件实现了13.22%的光电转换效率。该方法从新的角度为开发优异的缺陷态钝化材料提供可能。2.针对钙钛矿薄膜的晶界缺陷,本工作基于水滑石的限域微环境,采用共沉淀方法,构筑了N,N-二（丙酸）-苝-3,4,9,10-四羧酸二酰亚胺（PDI）组装体材料。研究结果表明,与PDI单体相比,PDI组装体具有更高的π-π共轭体系,这有利于其对光生载流子的转移和分离。更重要的是,PDI组装体中C=O键与Pb2+可以发生相互作用,有效钝化钙钛矿薄膜的晶界缺陷,减少了陷阱辅助复合,从而提高了器件的效率和稳定性。基于上述设计,利用PDI组装体的π-π共轭作用及对钙钛矿薄膜晶界缺陷的钝化作用,实现了PDI组装体协助的PSCs器件高达14.17%的光电转换效率。本工作不仅拓宽了组装体的应用前景,而且为开发低成本、高性能光电器件提供了有效途径。