【摘 要】
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本文采用提拉法生长出无宏观缺陷、光学均匀性好的不同掺杂量的三掺镁铈铜同成分铌酸锂(Mg：Ce：Cu：CLN)单晶体，研究总结出了最佳生长工艺参数。 通过X-射线衍射分析，发现
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本文采用提拉法生长出无宏观缺陷、光学均匀性好的不同掺杂量的三掺镁铈铜同成分铌酸锂(Mg：Ce：Cu：CLN)单晶体，研究总结出了最佳生长工艺参数。
通过X-射线衍射分析，发现在掺镁量不变的情况下，随着铜、铈离子掺杂量的提高，晶体中的本征缺陷浓度降低，晶格畸变减小。通过分析晶体的红外吸收光谱及紫外—可见吸收光谱，结合相关的缺陷结构模型，研究了Mg：Ce：Cu：CLN晶体中杂质离子的占位机理。
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