R-矩阵方法，分别在单通道近似及三态密耦近似下，计算了类理离子C3+激发态(1s22p)2P的光电离总截面、分波电离截面及分波电离截面随有效量子数的变化规律。类理离子C3+激发态由于其靶初态的非零角动量(J=1)及其激发态特性，结果显示了更加丰富的Rydberg系列共振结构。我们对共振的位置、结构及其产生的原因作了详细的分析与讨论，给出了光电离过程中更新的信息。通过对单通道近似及三态密耦近似下的光电离截面的比较，我们发现，在考虑通道间相互作用情形下，由于位于电离阈值之上的准束缚态与连续态的相互作用导致的激发自电离，使得电离截面中出现了大量的Rydberg系列共振，电离截面的数值因而也大大增强。 从计算的结果看来，我们所运用的R-矩阵方法是可行的，所使用的R-矩阵程序是有效的。但由于所使用的R-矩阵程序的局限性及计算机所耗机时的限制，我们的工作中也存在一些不够完善的地方，对此在文章的最后给出了简要的分析与讨论，并提出了以后可以进一步做的工作。