微晶硅薄膜晶体管是一种新型薄膜晶体管。与传统的非晶硅薄膜晶体管相比，微晶硅晶体管具有更高的载流子迁移率以及更好的稳定性。但是，目前利用低温生长工艺制备的微晶硅薄膜晶体管的载流子迁移率仍然需要提高，以满足驱动大尺寸显示的需求。并且目前很多微晶硅薄膜晶体管无法同时获得良好的稳定性与迁移率。因此，本文的研究工作围绕保证微晶硅薄膜晶体管的稳定性、提升载流子迁移率展开。　　 本文的研究工作是在东南大学与法国雷恩第一大学间合作协议的基础上，利用中法双方实验室的设备共同完成的。本文主要的研究工作与成果可概括如下:　　 1、首先研究了微晶硅薄膜制备参数对薄膜晶体管性能的影响。由于目前低温生长条件下的PECVD制备的微晶硅薄膜工艺较为成熟，很难进一步改善迁移率，因此，本文通过将PECVD生长温度提升至250℃来改善薄膜的结晶度。这一生长温度仍然可以应用于部分高耐温塑料柔性衬底。考虑到氩离子在PECVD中可以加速硅烷的分解，有利于提高薄膜质量，本文在PECVD反应中加入氩气，获得了最佳的氩气成分比。　　 2、考虑到利用溅射法制备的二氧化硅与微晶硅的界面处通常存在很多界面陷阱电荷，这些电荷会导致二氧化硅的绝缘特性下降，本文提出了在溅射法制备后使用退火工艺的方法，改善了二氧化硅栅绝缘层的特性。　　 3、为了研究沟道厚度对薄膜晶体管性能的影响，本文制备了不同沟道层厚度的微晶硅薄膜晶体管，确定了最佳的薄膜厚度值，获得了载流子迁移率高达2.13cm2/V.s、电流开关比大于107、+15V栅极施压4小时后阈值电压漂移为0.6V（即稳定性良好）的TFT。　　 4、最后，通过设计掩膜板完成了全新的应用于LCD显示单元的薄膜晶体管的结构与制备流程。测试结果表明该结构的薄膜晶体管符合驱动LCD显示单元的要求，为其在LCD显示领域的发展打下了基础。