该文主要研究了置于漏腔里的薄晶片(crystal Slab)中激子的量子耗散和退相干,以及薄晶片中低密度激子的超辐射. 首先,从原子—光场相互作用模型出发,通过引入原子集体激发的激子算符,对于二能级多原子系统,我们重新推导了低密度激子与单模量子化光场相互作用模型.激子算符在有限的大N情况下满足q-变形的玻色子代数.而在大N极限下和低激发的情况下,即低密度情况下,激子算符满足通常的玻色对易关系.考虑到二能级多原子系统的激子算符对应于SU(2)代数的无穷维表示,且因为SU(2)是SU(3)代数的子代数,所以对于V-型三能级多原子系统,我们可以引入双模激子算符. 第二部分,应用正规序方法研究了受迫谐振子问题.作为例子,我们研究了单模腔场模式的耗散问题.讨论了热库的背景辐射对腔场薛定锷猫态退相干的影响,给出了退相干特征时间随温度变化的具体形式.我们还研究了置于漏腔里的二能级薄晶片中激子的量子耗散和退相干问题.具体讨论了外场驱动对激子量子耗散以及激子猫态量子退相干的影响.作为该文的重点,第三部分研究了V-型三能级薄晶片中低密度激子的超辐射问题.首先研究了旋转波近似下,激子和多模光场相互作用模型.利用Weisskopf-Wigner近似,求解了激子—光子耦合系统的运动方程.从而给出激子衰减率,以及辐射场强度I(z,l)随时间、空间的变化规律.