本文从集成电路的寿命周期的浴盆曲线出发,以可靠性保障数据的获得、分析、评价为手段,以MOS集成电路TM的工程化可靠性保障为目的,以TM集成电路工程化可靠性保障中遇到的问题为牵引,研究提高和保证集成电路可靠性的方法以及在TM集成电路工程化中的具体的应用。我们对集成电路的要求是在产品出厂前尽可能地剔除早期失效,出厂后满足工作可靠性和寿命要求。要达到这样的要求,需要进行试验、测量、分析和改进、评价、表征。本文首先构建了可靠性保障数据技术的理论基础,主要包括:环境应力筛选,统计技术,测试技术、可靠性增长技术、失效分析和产品的寿命评估等;可靠性保障数据技术理论,为进行工程化可靠性保障打下了基础。在理论分析的基础上,结合MOS集成电路TM,开展了通过老化试验实时监控和分析确定老化应力的研究,进一步保证了筛选率的要求;采用ASL1000测试系统对TM电路进行测试的软件、硬件的设计,达到了自动测试的目的,为数据的采集和分析打下了基础;根据TM电路特点确定关键工序,采用统计分析法对工艺过程进行监控和评价,为保证工艺和可靠性水平打下了基础;对典型失效进行了具体的分析和改进;进行了可靠性增长试验,并在失效分析的基础上优化了工艺,使产品达到希望的可靠性指标的要求。